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产品特色:

  • 专门用于 1U 系统的超薄型

  • 提供单次纠错和检测

  • 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化

  • 使用原装 IC 满足严格的工业标准

  • JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)

  • 工作环境:0°C ~ 85°C

  • 30μ” 金手指

  • RoHS 合规性

  • CE/FCC 认证

概述:

DDR3 ECC UDIMM VLP 是一种工业内存模块,可提供持久的性能,专为服务器和网络市场而设计。这些模块配备了 30μ” 金手指并包括单比特纠错。提供 2GB、4GB 和 8GB 容量,以及 1333MT/s、1600MT/s 和 1866MT/s 的数据传输速率。

VLP 模块专门用于 1U 系统,例如刀片服务器数据中心,系统高度低于 1.18 英寸。这些模块的设计改善了系统内部的气流并减少了热影响。

ECC 模块旨在检测和纠正在数据存储和传输过程中发生的单比特错误。ECC 模块使用汉明码或三重模块冗余进行错误检测和纠正,并自行管理错误纠正,而不要求数据源重新发送原始数据。

规格:

界面 DDR3
构成因素 ECC UDIMM VLP
数据速率 1333 公吨/秒、1600 公吨/秒、1866 公吨/秒
容量 2GB、4GB、8GB
功能 ECC 无缓冲内存
针号 240针
宽度 72位
电压 1.5V、1.35V
PCB高度 0.738 英寸
工作温度 0°C 至 85°C
30μ” 金手指

产品料号:

容量 颗粒 零件号 位数 电压 描述
2GB 256Mx8 M3C0-2GSJ4CQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
2GB 256Mx8 M3C0-2GMJ4CQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB 256Mx8 M3C0-4GSJ5CQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB 256Mx8 M3C0-4GMJ5CQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB 512Mx8 M3C0-4GSS4CQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
4GB 512Mx8 M3C0-4GMS4CQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
8GB 512Mx8 M3C0-8GSS5CQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP
8GB 512Mx8 M3C0-8GMS5CQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 ECC UDIMM VLP