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创见MTE452T2固态硬盘搭载PCIe Gen 3 x2接口，符合最新NVMe 1.3规范，带来前所未有的传输效能；采用最新一代3D NAND技术，可堆栈高达96层闪存，相较于前一代3D NAND的64层堆栈，大幅突破单位密度上限，达到更高的储存效益。创见MTE452T2固态硬盘内置DRAM高速缓存，提供绝佳的随机访问速度，同时经过严格的厂内测试，达到3K抹写次数的耐用度等级，30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(Corner Bond)工艺亦提供优异可靠的性能。此外，MTE452T2具备类宽温特性（-20℃~75℃），完美满足任务密集型应用的需求。

固件特点

支援NVM指令

内建SLC caching技术

动态热能管理机制

内建LDPC ECC自动纠错功能

支持全区平均抹写及故障区块管理，增加可靠度

支持垃圾数据回收机制

支持S.M.A.R.T.监控功能，对存储设备进行健康状况监控、分析和报告

全驱动器加密与高级加密标准(AES) (客制功能)

硬件特点

符合RoHS 2.0规范

符合NVM Express 1.3规范

符合PCI Express 3.1规范

符合新一代M.2规格 (长度: 42mm)，适用于轻薄型行动装置

搭载PCIe Gen 3 x2 界面

内建DDR3 DRAM高速缓存

耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)

全系列产品采用边角粘合技术，保护关键元件

30µ"金手指厚镀金工艺

采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁

电源保护机制(PS)确保数据传输可靠度，降低异常断电而导致SSD内部数据毁损风险

在更大的温度范围内(从-20°C到75°C)，保证了操作的可靠性

支持创见Scope Pro软件

外观

尺寸： 42 mm x 22 mm x 3.58 mm (1.65" x 0.87" x 0.14")

重量： 5 g (0.18 oz)

M.2规格：2242-D2-B-M (双面的)

外观尺寸：M.2 2242

界面

总线接口：NVMe PCIe Gen3 x2

存储

容量：128 GB/256 GB/512 GB

Flash类型：3D闪存

操作环境

工作电压：3.3V±5%

工作温度：类宽温-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

储存温度：-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)

湿度： 5% ~ 95%

耐冲击：1500 G, 0.5 ms, 3 axis

耐振动 (操作中)： 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

电量

耗电量 (操作中) 2.81 瓦

耗电量 (IDLE) 0.63 瓦

效能

连续读写速度(CrystalDiskMark) 读取: 高达 1,700 MB/s

写入: 高达 1,250 MB/s

4K随机读写速度(IOmeter) 读取: 高达 200,000 IOPS

写入: 高达 250,000 IOPS

平均故障间隔(MTBF) 3,000,000 小时

写入兆位元组(TBW) 高达 1,080 TBW

每日全盘写入次数(DWPD) 2 (3 年)

备注

传输速度会因您的系统效能（硬件、软件、使用方式、产品容量）而有所不同。

用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同，实际工作负载可能因（硬件、软件、使用情况、产品容量）而异。

写入兆位元组（TBW)数值以该系列产品最高容量为主。

保修

安规认证：CE/FCC/BSMI

保修：三年有限保修

保修政策：

如产品于保修范围内在Scope Pro软件的wear-out indicator显示耗损程度为0%时，则不适用。

由于工业应用的多元性及复杂性，创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境，建议您购买前先与我们联系。

Scope Pro软件依需求提供，请与我们联系。

订购资讯

128GB

TS128GMTE452T2

256GB

TS256GMTE452T2

512GB

TS512GMTE452T2

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MTE452T2 产品规格书