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产品特色：

  • 小外形双列直插式内存模块

  • 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化

  • 使用原装 IC 满足严格的工业标准

  • JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)

  • 工作环境：0°C ~ 85°C

  • RoHS 合规性

  • CE/FCC 认证

概述：

DDR3 SODIMM 内存（小外形）是一种紧凑的工业标准内存模块，可以巧妙地融入任何嵌入式、监控和自动化设置。DDR3 SODIMM 内存符合所有相关的 JEDEC 标准，提供 1GB、2GB、4GB 和 8GB 容量，数据传输速率分别为 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s 和 1866MT/s。

规格：

型号 DDR3
类型 SODIMM
频率 1066 公吨/秒、1333 公吨/秒、1600 公吨/秒、1866 公吨/秒
容量 1GB、2GB、4GB、8GB
功能 非 ECC 无缓冲内存
针号 204针
宽度 64位
电压 1.5V、1.35V
PCB高度 1.18 英寸
工作温度 0°C 至 85°C

产品料号：

容量 颗粒 型号 位数 电压 描述
1GB 128Mx16 M3S0-1GSWFCQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
1GB 128Mx16 M3S0-1GMWFCQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GSJCCQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GMJCCQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GMVFCQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GMVFCQE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx16 M3S0-4GSV0CQE 2Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx16 M3S0-4GMV0CQE 2Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GSJDCQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GMJDCQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GSSCCQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GMSCCQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GSSDCQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GMSDCQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 SODIMM
pdf.png产品资料：DRAM DDR3 产品简介