MTE712P MTE712P-I PCIe M.2固态盘 掉电保护
创见MTE712P M.2固态硬盘搭载断电保护(PLP)技术,当系统无预警断电时,内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM,确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存,达到高度可靠的储存效能。MTE712A同时为符合TCG Opal 2.0安全规范的自我加密硬盘 (Self-Encrypting Drive),以AES-256位硬件加密技术与LBA分层管理的方式进行进阶数据保护,保障机密数据安全。
MTE712P以112层3D NAND闪存打造,搭载高速PCIe Gen 4 x4接口,带来前所未有的传输效能;创见MTE712P固态硬盘内置DRAM快取,提供绝佳的随机访问速度,同时搭载30µ"金手指厚金镀层PCB、边缘粘合(Corner Bond)技术以及抗硫化电阻,强化关键组件保护,抵御严苛的工业应用环境。MTE712P经过严格的厂内测试,具备类宽温特性(-20°C~75°C),在急遽温差变化下仍能稳定运作,展现高度可靠性。
创见也推出具备宽温特性的MTE712P-I固态硬盘,可于-40℃到85℃下稳定运作,以确保工业机台于任务密集型应用中稳定运作,实现卓越的运作效能、最佳的耐用度以及可靠性。
固件特点
支援NVM指令
动态热能管理机制
内建LDPC ECC自动纠错功能
支持全区平均抹写及故障区块管理,增加可靠度
支持垃圾数据回收机制
支持S.M.A.R.T.监控功能,对存储设备进行健康状况监控、分析和报告
支持TRIM指令
支持NCQ指令
全驱动器加密与高级加密标准(AES)
符合TCG Opal与IEEE 1667安全规范
硬件特点
符合RoHS 2.0规范
符合NVM Express 1.4规范
符合PCI Express 4.0规范
符合新一代M.2规格 (长度: 80mm),适用于轻薄型行动装置
搭载PCIe Gen 4 x4 界面
内建DDR4 DRAM高速缓存
采用高质量3D NAND闪存
耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)
全系列产品采用边角粘合技术,保护关键元件
30µ"金手指厚镀金工艺
采用抗硫化电阻,抵御外在环境的硫化威胁
断电保护(PLP)功能,避免因意外断电而丢失资料
包含类宽温(-20°C ~ 75°C)与宽温(-40°C ~ 85°C)规格,适合极端工控操作环境
*支持Microsoft® eDrive加密功能
外观
尺寸80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")
重量10 g (0.35 oz)
M.2规格2280-D2-M (双面的)
外观尺寸 M.2 2280
界面
总线接口 NVMe PCIe Gen4 x4
存储
容量:256 GB/512 GB/1 TB/2 TB
Flash类型:112层3D闪存
操作环境
工作电压:3.3V±5%
工作温度:类宽温-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 宽温-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度5% ~ 95%
耐冲击:1500 G, 0.5 ms, 3 axis
耐振动 (操作中)20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
电量
耗电量 (操作中)5.6 瓦
耗电量 (IDLE)1.28 瓦
效能
连续读写速度(CrystalDiskMark)读取: 高达 3,800 MB/s
写入: 高达 3,200 MB/s
4K随机读写速度(IOmeter)读取: 高达 350,000 IOPS
写入: 高达 330,000 IOPS
平均故障间隔(MTBF)3,000,000 小时
写入兆位元组(TBW)高达 4,000 TBW
每日全盘写入次数(DWPD)1.84 (3 年)
备注
传输速度会因您的系统效能(硬件、软件、使用方式、产品容量)而有所不同。
用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同,实际工作负载可能因(硬件、软件、使用情况、产品容量)而异。
写入兆位元组(TBW)数值以该系列产品最高容量为主。
保修
安规认证:CE/FCC/BSMI/UKCA
保修:三年有限保修
保修政策
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如产品于保修范围内在Scope Pro软件的wear-out indicator显示耗损程度为0%时,则不适用。
由于工业应用的多元性及复杂性,创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境,建议您购买前先与我们联系。
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