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产品特色：

  • 小外形双列直插式内存模块

  • 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化

  • 使用原装 IC 满足严格的工业标准

  • JEDEC 标准 1.5V (1.425V~1.575V) & 1.35V (1.28V~1.45V)

  • 工作环境：-40°C ~ 85°C

  • 30μ” 金手指

  • RoHS 合规性

  • CE/FCC 认证

概述：

DDR3 WT（宽温）SODIMM 是一种工业内存模块，可提供持久的性能，专为车载自动化和嵌入式市场而设计。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，可在 -40ºC 至 85ºC 的温度下运行，并提供 2GB、4GB 和 8GB 容量。提供 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s 和 1866MT/s 的数据传输速率。

规格：

界面 DDR3
构成因素 WT SODIMM
数据速率 1066 MT/s, 1333 MT/s, 1600 MT/s, 1866 MT/s
容量 2GB、4GB、8GB
功能 非 ECC 无缓冲内存
针号 204针
宽度 64位
电压 1.5V、1.35V
PCB高度 1.18 英寸
工作温度 -40°C 至 85°C
30μ” 金手指 是的

产品料号：

容量 颗粒 零件号 位数 电压 描述
2GB 256Mx8 M3S0-2GSJC5QE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1600 WT SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GMJC5QE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GSVF5QE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
2GB 256Mx16 M3S0-2GMVF5QE 1Rx16 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GSSC5QE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GMSC5QE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GSSD5QE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GMSD5QE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GMJCIPC 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1600 WT SODIMM
2GB 256Mx8 M3S0-2GNJCIQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GMJDIPC 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1600 WT SODIMM
4GB 256Mx8 M3S0-4GNJDIQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
4GB 512Mx8 M3S0-4GMSCIQE 1Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM
8GB 512Mx8 M3S0-8GMSDIQE 2Rx8 1.5V/1.35V DDR3 1866 WT SODIMM