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产品特色：

  • 小外形双列直插式内存模块

  • 针对稳定性和性能进行了全面测试和优化

  • 使用原装 IC 满足严格的工业标准

  • 针对恶劣环境的抗硫化保护

  • JEDEC 标准 1.2V (1.26V~1.14V)

  • 工作环境：-40°C ~ 85°C

  • 30μ”金手指

  • RoHS 合规性

  • CE/FCC 认证

概述：

DDR4 WT（宽温）SODIMM 提供紧凑的设计和业界最快的内存速度（3200MT/s） - 非常适合任何车载、监控、自动化和嵌入式应用。这些模块符合所有相关的 JEDEC 标准，可在 -40ºC 至 85ºC 的温度下运行，并提供 4GB、8GB、16GB 和 32GB 容量。还提供 2133MT/s、2400MT/s 和 2666MT/s 模块。

规格：

界面 DDR4
构成因素 WT SODIMM
数据速率 2133 MT/s, 2400 MT/s, 2666 MT/s, 3200 MT/s
容量 4GB、8GB、16GB、32GB
功能 非 ECC 无缓冲内存
针号 260针
宽度 64位
电压 1.2V
PCB高度 1.18 英寸
工作温度 -40°C 至 85°C
30μ” 金手指 是的
抗硫化 是的

产品料号：

容量 颗粒 零件号 位数 电压 描述
4GB 512Mx8 M4S0-4GSSN5EM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
4GB 512Mx16 M4S0-4GSXZ5EM 1Rx16 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
4GB 512Mx16 M4S0-4GMXZ5EM 1Rx16 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 512Mx8 M4S0-8GSSO5EM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 1Gx8 M4S0-8GS1N5EM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 1Gx8 M4S0-8GM1N5EM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 1Gx16 M4S0-8GSYZ5EM 2Rx16 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
16 GB 1Gx8 M4S0-AGS1O5EM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
16 GB 1Gx8 M4S0-AGM1O5EM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
16 GB 2Gx8 M4S0-AGS2N5EM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
16 GB 2Gx8 M4S0-AGM2N5EM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
32GB 2Gx8 M4S0-BGS2O5EM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
32GB 2Gx8 M4S0-BGM2O5EM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
4GB 512Mx8 M4S0-4GSNAME 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 512Mx8 M4S0-8GSSOIEM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
8GB 1Gx8 M4S0-8GS1NIEM 1Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
16 GB 1Gx8 适用于 M4S0-AGS1OI 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM
32GB 2Gx8 M4S0-BGS2OIEM 2Rx8 1.2V DDR4 3200 WT SODIMM