DDR3 SODIMM 宜鼎内存模组

宜鼎 DDR3 SODIMM 内存模组

产品核心定位

宜鼎 DDR3 SODIMM 为Non-ECC 无缓冲内存，是设计紧凑的小型双列直插式内存模组，完全符合 JEDEC 相关标准，经全面测试实现稳定性与效能的优化，适配嵌入式、安全监控及自动化等多元应用场景，可应对严苛的使用环境需求。

产品核心特点

规格标准且选择丰富：提供 1GB、2GB、4GB、8GB 多容量选择，以及 1066MT/s、1333MT/s、1600MT/s、1866MT/s 多速度选项，满足不同设备的配置需求。

品质与合规性保障：采用原厂 IC 制作，满足严格业界标准；工作电压遵循 JEDEC 标准，支持 1.5V（1.425V ~ 1.575V）与 1.35V（1.28V ~ 1.45V）；符合 RoHS 环保标准，且通过 CE / FCC 权威认证。

严苛测试验证可靠性：通过第三方专业测试，验证极端条件下的产品稳固性，具体测试包含：包装跌落测试（76 厘米跌落，ISTA-1A 标准）、温度冲击测试（-40°C ~ 110°C，500 次循环）、DRAM 模块插拔测试（100 次循环，EIA-364-9 标准）。

支持定制化强化方案：可根据需求搭载侧填技术，强化芯片与基板连接，保障震动环境下的稳定运行；也可增加三防涂层，在 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，抵御湿气、灰尘、腐蚀性物质的侵害。

环境适配性良好：标准工作环境温度覆盖 0°C ~ 85°C，能适配多数工业及嵌入式设备的使用工况。

产品核心规格

规格项 具体参数

内存代际 DDR3 Memory

DIMM 类型 SODIMM

运行速度 1066 MT/s、1333 MT/s、1600 MT/s、1866 MT/s

存储容量 1GB、2GB、4GB、8GB

功能属性 Non-ECC Unbuffered Memory（非 ECC 无缓冲内存）

针脚数量 204pin

总线宽度 x64

工作电压 1.35V、1.5V

PCB 高度 1.18 Inches

工作温度 0°C ~ 85°C

多元应用场景

该产品凭借紧凑设计与高可靠性，核心应用于嵌入式系统、安全监控设备、工业自动化设备等场景；同时可定制抗磁组件，适配直接处于磁场环境中的 MRI 核磁共振仪、NMR 核磁共振设备等特殊仪器，为设备安全运行提供内存配套支持。

产品订货型号

型号 IC 配置 Rank 温度 简介

M3S0-1GMWFCQE

128M x 16 1R x 16 0°C ~ 85°C DDR3 1866 1GB SODIMM

M3S0-2GMJCCQE

256M x 8 1R x 8 0°C ~ 85°C DDR3 1866 2GB SODIMM

M3S0-2GMVFCQE

256M x 16 1R x 8 0°C ~ 85°C DDR3 1866 2GB SODIMM

M3S0-4GMV0CQE

256M x 16 2R x 16 0°C ~ 85°C DDR3 1866 4GB SODIMM

M3S0-4GMJDCQE

256M x 8 2R x 8 0°C ~ 85°C DDR3 1866 4GB SODIMM

M3S0-4GMSCCQE

512M x 8 1R x 16 0°C ~ 85°C DDR3 1866 4GB SODIMM

M3S0-8GMSDCQE

512M x 8 2R x 16 0°C ~ 85°C DDR3 1866 8GB SODIMM

M3S0-1GMWFLQE

128M x 16 1R x 16 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 1GB SODIMM

M3S0-2GMJCLQE

256M x 8 1R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 2GB SODIMM

M3S0-2GMVFLQE

256M x 16 1R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 2GB SODIMM

M3S0-4GMJDLQE

256M x 8 2R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 4GB SODIMM

M3S0-4GMV0LQE

256M x 16 2R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 4GB SODIMM

M3S0-4GMSCLQE

512M x 8 1R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 4GB SODIMM

M3S0-8GMSDLQE

512M x 8 2R x 8 0°C ~ 85°C DDR3L 1866 8GB SODIMM