DDR4 RDIMM VLP 宜鼎内存模组

宜鼎 DDR4 RDIMM VLP 内存模组

宜鼎（Innodisk）DDR4 RDIMM VLP 是一款面向工业级、服务器场景的超矮版寄存式 ECC 内存模组，主打紧凑设计、高可靠性与严苛环境适应性，适配 1U 设备及 Intel® Purely 平台，核心应用于数据中心、边缘服务器等场景。

核心产品定位与效能亮点

为卓越效能而打造

DDR4 RDIMM VLP 作为超矮版紧凑内存模组，拥有业界最快 3200MT/s的记忆体速度，且完全相容于 Intel® Purely 平台及 1U 装置；除最高速 3200MT/s 外，还提供 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s、2933MT/s 等多档速度选项，容量覆盖 4GB、8GB、16GB 及 32GB，可满足不同 1U 设备的性能与容量需求。模组搭载 30μ” 金手指，内建单位元纠错功能及暂存器，双重加持下强化时脉、指令及控制讯号传输稳定性，兼顾高速传输与数据精准性。其超矮版设计专为 1U 系统打造（如系统高度不到 1.18 英吋的刀锋伺服器资料中心），可有效改善系统内部通风条件，降低高温对设备运行的影响，从物理设计层面保障效能持续稳定输出。

核心产品特点

性能与功能优化：内建暂存器强化时脉、指令和控制讯号；搭载 ECC 错误修正 / 侦测功能，采用汉明码或三重模组冗余，可自行修正单一位元错误，无需重发原始数据。

严苛环境适配：配备抗硫化保护镀层，防止 DRAM 芯片银合金与含硫气体发生腐蚀反应；工作温度覆盖 0°C ~ 95°C（Tc），满足 JEDEC 标准 1.2V 电压（浮动范围 1.14V~1.26V）。

品质与认证：采用原厂 IC，符合严格业界标准；通过全面测试优化稳定性与效能，符合 RoHS 环保标准，拥有 CE/FCC 认证。

物理设计优势：超矮版紧凑设计，PCB 高度仅 0.738 英寸，适配 1U 系统，改善设备内部通风、降低高温影响；搭载 30μ” 金手指，提升导电与接触稳定性。

核心防护与可靠性技术

1. 专属防护技术

抗硫化防护镀层：在易损部件表面增设镀层，隔绝银合金与含硫气体接触，避免导电性下降和产品失效。

侧填技术（Side Fill）：强化芯片与基板的连接，确保模块在震动、极端机械应力下稳定运行。

三防涂层：在 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，抵御湿气、灰尘、腐蚀性物质的损害。

第三方权威可靠性测试

产品通过多项严苛测试，验证极端条件下的稳固性：

测试项目 测试标准 / 参数

包装跌落测试 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准

温度冲击测试 -40°C ~ 110°C，500 次循环

军用标准振动测试 振动频率 10Hz~500Hz，MIL-STD-810G 514.7 标准

核心应用场景

边缘服务器：专为边缘计算设计，严苛环境下保持稳定性能，支持边缘设备实时数据处理。

数据中心：适配刀锋服务器等 1U 高密度设备，为数据密集型运算提供高性能、高可靠性支撑。

网络通信：可在高负载下实现不间断稳定运行，成为网络与通信基础设施的核心存储组件。

产品规格

规格项 参数

DDR 世代 DDR4 Memory

DIMM 类型 RDIMM VLP（超矮版寄存式）

传输速度 2133/2400/2666/2933/3200 MT/s（最高 3200MT/s）

容量 4GB/8GB/16GB/32GB

核心功能 Registered Memory with ECC（寄存式 + ECC 纠错）

针脚数 288pin

总线位宽 x72

工作电压 1.2V

PCB 高度 0.738 Inches

金手指 30μ” Gold Finger（支持）

抗硫化 支持（Y）

产品料号

型号 IC 配置 Rank 产品简介

M4R0-4GSSCCEM

512M x 8 1R x 8 DDR4 3200 4GB RDIMM VLP

M4R0-8GSSDCEM

512M x 8 2R x 8 DDR4 3200 8GB RDIMM VLP

M4R0-8GS1CCEM

1G x 8 1R x 8 DDR4 3200 8GB RDIMM VLP

M4R0-AGS1DCEM

1G x 8 2R x 8 DDR4 3200 16GB RDIMM VLP

M4R0-AGS2CCEM

2G x 8 1R x 8 DDR4 3200 16GB RDIMM VLP

M4R0-BGS2DCEM

2G x 8 2R x 8 DDR4 3200 32GB RDIMM VLP

M4R0-BGM2DCEM

2G x 8 2R x 8 DDR4 3200 32GB RDIMM VLP