DDR4 ECC UDIMM VLP 宜鼎工业内存

宜鼎 DDR4 ECC UDIMM VLP  工业内存

产品特点

1U 系统专用的超矮版设计

ECC DIMM 内建错误修正和侦测功能

通过全面测试，具最佳化稳定性和效能

采用原厂 IC，满足严格业界标准

对抗严苛环境的抗硫化保护机制

JEDEC 标准 1.2V（1.26V ~ 1.14V）电压

工作环境温度：0°C ~ 95°C（Tc）

30μ” 金手指，符合 RoHS 标准且通过 CE / FCC 认证

为卓越效能而打造

DDR4 ECC UDIMM VLP 搭配矮版设计，提供业界最快的 3200MT/s 内存速度。此模组搭载 30μ” 金手指，内建单位元纠错功能，专为网络及服务器所设计。模组提供 4GB、8GB、16GB 及 32GB 等容量，速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。

VLP 系列模组特别适用于 1U 系统，例如系统高度不到 1.18 英寸的刀锋服务器数据中心。模组的超矮版设计可改善系统内部通风条件，有效降低高温影响。

错误更正码（ECC）功能，可侦测及修正数据储存及传输过程中个别位元的错误。ECC 模组采用汉明码或三重模组冗余，以进行错误侦测及修正，可自行管理纠错，无须要求数据源重新发送原始数据。

采用抗硫化防护镀层的模块保护技术

硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时，会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降，并可能快速引发产品失效。为解决此问题，宜鼎在易损部件表面增设防护镀层，以保护银合金免受硫化腐蚀。

Anti-Sulfuration

通过第三方测试证明可靠性

确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。

测试项目 测试标准及参数

包装跌落测试 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准

温度冲击测试 -40℃~110℃，500 次循环

军用标准振动测试 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz，MIL-STD-810G 514.7 标准

为您的需求量身定制

侧填技术（Side Fill）

在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。

三防涂层

在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

探索多元应用场景与成功实例

边缘服务器

专为边缘计算设计，我们的产品确保在严苛环境中的稳定性能，支持边缘设备的实时数据处理。

数据中心

作为现代计算的核心驱动力，我们的解决方案为数据密集型运算提供高性能与可靠性。

网络通信

我们的解决方案能在高负载下提供可靠不间断的稳定性能，成为网络与通信基础建设的核心支撑。

产品规格表

项目 参数

产品型号 DDR4 ECC UDIMM VLP

DDR 代数 DDR4 内存

内存类型 超矮版 ECC 无缓冲内存（ECC UDIMM VLP）

运行速度 2133 MT/s、2400 MT/s、2666 MT/s、2933 MT/s、3200 MT/s

容量 4GB、8GB、16GB、32GB

核心功能 ECC 无缓冲内存

针脚数 288 针

总线位宽 72 位

工作电压 1.2V

PCB 板高度 0.738 英寸

工作温度 0°C ~ 95°C（壳体温度）

30 微英寸金手指 支持

抗硫化防护 支持

产品料号

型号 IC 配置 Rank 温度 简介

M4C0-4GSSSCEM

512M x 8 1R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 4GB ECC UDIMM VLP

M4C0-8GSSTCEM

512M x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP

M4C0-8GS1SCEM

1G x 8 1R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 8GB ECC UDIMM VLP

M4C0-AGS1TCEM

1G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 16GB ECC UDIMM VLP

M4C0-BGM2TCEM

2G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP

M4C0-BGS2TCEM

2G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 32GB ECC UDIMM VLP