DDR4 UDIMM VLP 宜鼎工业内存

宜鼎 DDR4 UDIMM VLP 工业内存

产品特点

1U 系统专用的超矮版设计

通过全面测试，具最佳化稳定性和效能

采用原厂 IC，满足严格业界标准

对抗严苛环境的抗硫化保护机制

JEDEC 标准 1.2V（1.26V ~ 1.14V）电压

工作环境温度：0°C ~ 95°C（Tc）

符合 RoHS 标准

通过 CE / FCC 认证

为卓越效能而打造

DDR4 UDIMM VLP 搭配超矮版设计，提供业界最快的 3200MT/s 内存速度，完全相容于 Intel® Purely 平台及 1U 装置。模组符合所有 JEDEC 相关标准，提供 4GB、8GB、16GB 和 32GB 等容量，速度亦包含 2133MT/s、2400MT/s、2666MT/s 及 2933MT/s 等选项。

VLP 系列模组特别适用于 1U 系统，例如系统高度不到 1.18 英寸的刀锋服务器数据中心。模组的超矮版设计可改善系统内部通风条件，有效降低高温影响。

采用抗硫化防护镀层的模块保护技术

硫元素在许多行业中普遍存在。当 DRAM 芯片中的银合金接触到含硫气体时，会引发腐蚀反应。这种硫化作用会导致导电性下降，并可能快速引发产品失效。为解决此问题，宜鼎在易损部件表面增设防护镀层，以保护银合金免受硫化腐蚀。

Anti-Sulfuration（抗硫化防护）

通过第三方测试证明可靠性

确保元器件的耐用性和可靠性是应对严苛环境需求的关键。我们的解决方案通过第三方严格测试，遵循严苛行业标准。这些测试验证了产品在极端条件下的稳固性，确保产品在各种应用场景下均具备可靠的性能表现。

测试项目 测试标准及参数

包装跌落测试 跌落高度 76 厘米，ISTA-1A 标准

温度冲击测试 -40℃ ~ 110℃，500 次循环

军用标准振动测试 振动频率 10 Hz ~ 500 Hz，MIL-STD-810G 514.7 标准

为您的需求量身定制

侧填技术（Side Fill）

在震动环境中，侧填技术通过强化芯片与基板间的连接，确保模块在极端机械应力下仍能稳定运行，无惧外界威胁。

三防涂层

在 DRAM 内存 PCB 表面涂覆丙烯酸保护层，有效抵御湿气、灰尘及腐蚀性物质等有害因素。

探索多元应用场景与成功实例

边缘服务器

专为边缘计算设计，我们的产品确保在严苛环境中的稳定性能，支持边缘设备的实时数据处理。

数据中心

作为现代计算的支柱，我们的解决方案为数据密集型运行提供高性能和高可靠性保障。

通信

我们的解决方案确保可靠且不间断的性能，支持高负载下的组网与关键通信基础设施。

产品规格表

项目 参数

产品型号 DDR4 UDIMM VLP

DDR 代数 DDR4 内存

内存类型 超矮版无缓冲内存（UDIMM VLP）

运行速度 2133 MT/s、2400 MT/s、2666 MT/s、2933 MT/s、3200 MT/s

容量 4GB、8GB、16GB、32GB

核心功能 非 ECC 无缓冲内存

针脚数 288 针

总线位宽 64 位

工作电压 1.2V

PCB 板高度 0.738 英寸

工作温度 0°C ~ 95°C（壳体温度）

抗硫化防护 支持

产品料号

型号 IC 配置 Rank 温度 简介

M4U0-4GSSVCEM

512M x 8 1R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 4GB UDIMM VLP

M4U0-4GSX8CEM

512M x 16 1R x 16 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 4GB UDIMM VLP

M4U0-8GSSWCEM

512M x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 8GB UDIMM VLP

M4U0-8GS1VCEM

1G x 8 1R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 8GB UDIMM VLP

M4U0-AGS1WCEM

1G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 16GB UDIMM VLP

M4U0-AGM1WCEM

1G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 16GB UDIMM VLP

M4U0-BGS2WCEM

2G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 32GB UDIMM VLP

M4U0-BGM2WCEM

2G x 8 2R x 8 0°C ~ 95°C (Tc) DDR4 3200 32GB UDIMM VLP