DDR5 6400 RDIMM 宜鼎内存模组

DDR5 6400 RDIMM

驱动边缘 AI 与生成式 AI 应用

产品特点

内建暂存器，强化时钟、指令及控制讯号传输

数据传输速率达 6400MT/s，单条内存最高容量可达 64GB

新增瞬态电压抑制（TVS）二极管和电子保险丝，保障模块的完整性与运行可靠性

经全面测试与优化，可满足 AI 与边缘计算的高数据密集型应用需求

工作温度范围：0°C ~ 95°C（Tc）

采用 30μ 金手指设计，提升产品坚固耐用性；配备抗硫化保护层，可适应各类严苛使用环境

为卓越效能而打造

DDR5 6400 系列内存具备卓越性能，拥有 6400MT/s 的高速数据传输速率与最高 64GB 的扩展容量，是新一代的内存解决方案。该系列提供多种规格类型，包含 CUDIMM（时钟无缓冲双列直插内存模组）、CSODIMM（带时钟的小型双列直插内存模组）、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM 以及 RDIMM（带寄存器的双列直插式内存模块），搭载先进的 CKD 时钟驱动器技术，有效增强信号完整性，同时配备 TVS 保护机制，抵御电压波动影响。

相较前代产品，DDR5 6400 系列速度提升 14%，专为大语言模型（LLMs）、生成式 AI 和边缘计算中的数据密集型任务进行针对性优化。

行业领先的 6400MT/s 速度，最大容量 64GB

以 6400MT/s 的传输速率带来极致运行速度，性能较前代提升 14%；同时将单模块最大容量提升至 64GB，翻倍的容量可充分满足边缘 AI 及各类数据密集型应用的严苛使用要求。

通过 TVS 二极管防止电压波动

瞬态电压抑制（TVS）二极管可吸收异常过压产生的过电流，并将其泄放至大地，有效避免 DRAM 元器件因静电、电源波动等突发电压尖峰受损，为 DRAM 模块提供过压和静电放电（ESD）双重保护。

内置 eFuse 电子保险丝，模块保护再升级

当电路出现过电压导致 eFuse 电子保险丝过载时，保险丝会自动切断电路，从根源上防止 DRAM 元件因过压损坏。

具有最新平台兼容性的多种尺寸规格

产品提供 CUDIMM、CSODIMM、ECC CUDIMM、ECC CSODIMM、RDIMM 多种配置选择，容量覆盖 8GB 至 64GB 全区间，可完全兼容最新 Intel 及 AMD 处理器，为不同场景的多样化应用需求提供灵活的内存解决方案。

多元应用场景

影像识别：支持高速数据传输，大幅提升实时影像处理与识别的效率

大型语言模型（LLM）：可协助处理复杂的自然语言相关任务，有效加速模型的训练与推理流程

数位孪生：能够精准、快速地对真实世界对象进行数字化模拟

远距医疗：助力实现远程精准诊断，同时保障远程手术的顺利实施

规格表

项目 参数

型号名称 DDR5 6400 RDIMM

DDR 世代 DDR5 内存

内存模组类型 RDIMM

传输速度 6400 MT/s

容量 16GB、24GB、32GB、48GB、64GB

功能 带 ECC 纠错的寄存器内存

针脚数 288pin

总线位宽 x80

工作电压 1.1V

PCB 板高度 1.23 英寸

工作温度 0°C ~ 95°C (Tc)

30μ 金手指 支持

抗硫化保护 支持

产品料号

* 如需了解产品料号相关信息，请联系咨询我们获取详情。