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创见MTE652T2固态硬盘搭载PCIe Gen 3 x4接口，符合NVMe 1.3规范，展现前所未有的传输效能。采用最新一代3D闪存，大幅突破单位密度上限，打造高储存效益。30µ"金手指厚金镀层PCB及边角粘合(Corner Bond)工艺提供绝佳耐用性，并内置DRAM高速缓存，加快随机访问速度。此外，MTE652T2固态硬盘具备类宽温(-20°C ~ 75°C)特性，赋予其抗热耐寒表现，并具备3K抹写次数的耐用度等级。

固件特点

支援NVM指令

动态热能管理机制

内建LDPC ECC自动纠错功能

支持全区平均抹写及故障区块管理，增加可靠度

支持垃圾数据回收机制

全驱动器加密与高级加密标准(AES) (客制功能)

硬件特点

符合RoHS 2.0规范

符合NVM Express 1.3规范

符合PCI Express 3.1规范

符合新一代M.2规格 (长度: 80mm)，适用于轻薄型行动装置

搭载PCIe Gen 3 x4 界面

内建DDR3 DRAM高速缓存

耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)

全系列产品采用边角粘合技术，保护关键元件

30µ"金手指厚镀金工艺

采用抗硫化电阻，抵御外在环境的硫化威胁

电源保护机制(PS)确保数据传输可靠度，降低异常断电而导致SSD内部数据毁损风险

在更大的温度范围内(从-20°C到75°C)，保证了操作的可靠性

外观

尺寸： 80 mm x 22 mm x 3.58 mm (3.15" x 0.87" x 0.14")

重量： 9 g (0.32 oz)

M.2规格：2280-D2-M (双面的)

外观尺寸：M.2 2280

界面

总线接口：NVMe PCIe Gen3 x4

存储

容量：64 GB/128 GB/256 GB/512 GB

Flash类型：3D闪存

操作环境

工作电压：3.3V±5%

工作温度：类宽温-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F)

储存温度：-55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)

湿度： 5% ~ 95%

耐冲击：1500 G, 0.5 ms, 3 axis

耐振动 (静止)： 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)

电量

耗电量 (操作中) 3.3 瓦

耗电量 (IDLE) 0.6 瓦

效能

连续读写速度(CrystalDiskMark) 读取: 高达 2,100 MB/s

写入: 高达 1,250 MB/s

4K随机读写速度(IOmeter) 读取: 高达 190,000 IOPS

写入: 高达 290,000 IOPS

平均故障间隔(MTBF) 3,000,000 小时

写入兆位元组(TBW) 高达 1,080 TBW

每日全盘写入次数(DWPD) 2 (3 年)

备注

传输速度会因您的系统效能（硬件、软件、使用方式、产品容量）而有所不同。

用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同，实际工作负载可能因（硬件、软件、使用情况、产品容量）而异。

写入兆位元组（TBW)数值以该系列产品最高容量为主。

保修

安规认证：CE/FCC/BSMI

保修：三年有限保修

保修政策：

如产品于保修范围内在Scope Pro软件的wear-out indicator显示耗损程度为0%时，则不适用。

由于工业应用的多元性及复杂性，创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境，建议您购买前先与我们联系。

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订购资讯

64GB

TS64GMTE652T2

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TS128GMTE652T2

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TS256GMTE652T2

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TS512GMTE652T2

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MTE652T2 产品规格书