UTE210T UTE210T-I

创见U.2 NVMe固态硬盘UTE210T以112层3D NAND闪存打造,搭载8通道控制器与PCIe Gen 4x4传输接口,并符合NVMe 1.4标准,带来前所未有的传输效能;内置DRAM快取,提供绝佳的随机访问速度,同时搭配抗硫化电阻,强化关键组件保护,抵御严苛的工业应用环境。UTE210T的散热效能优于一般固态硬盘,适合全天候高速运转的设备,避免机台过热导致数据储存异常。
U.2固态硬盘UTE210T具备断电保护(PLP)技术提升储存可靠性,当系统无预警断电时,内置钽质电容可持续供电给控制器与DRAM,确保供电不稳的情况下数据仍能完整储存。UTE210T经过严格的厂内测试,具备类宽温特性(-20°C~75°C),并可依据客户需求提供宽温规格(-40°C~85°C),在急遽温差变化下仍能稳定运作,展现高度可靠性,适合高效能运算(HPC)、数据中心、大数据分析、在线事务处理(OLTP)、高分辨率影像串流与人工智能等高负载应用。
固件特点:
支援NVM指令
动态热能管理机制
内建LDPC ECC自动纠错功能
支持全区平均抹写及故障区块管理,增加可靠度
支持垃圾数据回收机制
支持S.M.A.R.T.监控功能,对存储设备进行健康状况监控、分析和报告
支持TRIM指令
支持NCQ指令
全驱动器加密与高级加密标准(AES) (客制功能)
硬件特点:
符合RoHS 2.0规范
符合NVM Express 1.4规范
符合PCI Express 4.0规范
搭载PCIe Gen 4 x4 界面
内建DDR4 DRAM高速缓存
耐用度为3K次抹写周期 (P/E cycles)
采用抗硫化电阻,抵御外在环境的硫化威胁
断电保护(PLP)功能,避免因意外断电而丢失资料
规格:
外观
尺寸 100 mm x 69.85 mm x 7 mm (3.94" x 2.75" x 0.28")
重量 60 g (2.11 oz)
外观尺寸 U.2 2.5"
界面
总线接口 NVMe PCIe Gen4 x4
存储
容量 512 GB/1 TB/2 TB/4 TB/8 TB
Flash类型 112层3D闪存
操作环境
工作电压 12.0V±5%
工作温度 类宽温-20°C (-4°F) ~ 75°C (167°F) 宽温-40°C (-40°F) ~ 85°C (185°F)
储存温度 -55°C (-67°F) ~ 85°C (185°F)
湿度 5% ~ 95%
耐冲击 15 G, 11 ms, 3 axis
耐振动 (操作中) 20 G (peak-to-peak), 7 Hz ~ 2000 Hz (frequency)
电量
耗电量 (操作中) 6.49 瓦
耗电量 (IDLE) 1.0 瓦
效能
连续读写速度(CrystalDiskMark) 读取: 高达 7,400 MB/s
写入: 高达 6,600 MB/s
4K随机读写速度(IOmeter) 读取: 高达 630,000 IOPS
写入: 高达 460,000 IOPS
平均故障间隔(MTBF) 3,000,000 小时
写入兆位元组(TBW) 高达 11,520 TBW
每日全盘写入次数(DWPD) 1.32 (3 年)
备注
传输速度会因您的系统效能(硬件、软件、使用方式、产品容量)而有所不同。
用于评估DWPD的工作负载可能与实际工作负载不同,实际工作负载可能因(硬件、软件、使用情况、产品容量)而异。
保修
安规认证 CE/UKCA/FCC/BSMI
保修 三年有限保修
保修政策
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如产品于保修范围内在Scope Pro软件的wear-out indicator显示耗损程度为0%时,则不适用。
由于工业应用的多元性及复杂性,创见无法保证本产品完全兼容于所有平台与使用情境。如有特殊需求及操作环境,建议您购买前先与我们联系。
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订购资讯:
512GB
TS512GUTE210T
1TB
TS1TUTE210T
2TB
TS2TUTE210T
4TB
TS4TUTE210T
TS4TUTE210T-I
8TB
TS8TUTE210T
TS8TUTE210T-I
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